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偏置电阻应该怎么设?

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请教高人:采集卡采集数据,采用差分输入或非参考单端(NRSE)方式。在测交流电压的时候,怎么样选取偏置电阻?

有资料写着:典型值是10K,100K。

具体依据什么来参考呢?

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解答
已被主题作者 得水 接受

晕,哥们你问问题跑错地方了吧?百度搜到的,仅供参考:

晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大,就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为偏置电路(可理解为,设置PN结正、反偏的电路),偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。

以常用的共射放大电路说吧,主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的IB。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若干元件,其中有一重要电阻,往往要调整阻值,以使集电极电流在设计规范内。这要调整的电阻 就是偏置电阻。

稳定静态工作点原理
  设流过基极偏置电阻的电流IR>>IB,因此可以认为基极电位VB只取决于分压电阻、,VB与三极管参数无关,不受温度影响。
  静态工作点的稳定是由VB和Re共同作用实现,稳定过程如下:
  设温度升高→IC↑→IE↑→VBE↓→IB↓→IC↓
其中:IC↑→IE↑是由电流方程 IE = IB+IC得出,IE↑→VBE↓是由电压方程VBE= VB-IERe得出,IB↓→IC↓是由 IC =βIB得出。
  由上述分析不难得出,Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性,Re太大其功率损耗也大,同时VE也会增加很多,使VCE减小导致三极管工作范围变窄。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下,Re值为几百欧到几千欧;大电流工作时,Re为几欧到几十欧。

Best Recards,

Shade
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嗯,太感谢了!很好,很详细!

确实发的地方有点不对,哈哈!

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